MSW9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSW9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P TO-247
Búsqueda de reemplazo de MSW9N90 MOSFET
MSW9N90 Datasheet (PDF)
msw9n90.pdf

Preliminary MSW9N90 900V N-Channel MOSFET Description TO-247 This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 45nC) Improved dv/dt Capability, Hi
Otros transistores... MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , 5N50 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 .
History: RU1H7H | OSS60R099HF | RU1H60R | AP6N2R0CDT | RU1H40L | SSM3K7002BFS
History: RU1H7H | OSS60R099HF | RU1H60R | AP6N2R0CDT | RU1H40L | SSM3K7002BFS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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