MSW9N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSW9N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSW9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P TO-247
 

 Аналог (замена) для MSW9N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  bruckewell
 msw9n90.pdf pdf_icon

MSW9N90

Preliminary MSW9N90 900V N-Channel MOSFET Description TO-247 This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 45nC) Improved dv/dt Capability, Hi

Другие MOSFET... MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , 5N50 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 .

History: KX6N70 | MTA55N20J3 | ME04N25

 

 
Back to Top

 


 
.