MSW9N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSW9N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P TO-247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSW9N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW9N90 даташит

 ..1. Size:514K  bruckewell
 msw9n90.pdf pdf_icon

MSW9N90

Preliminary MSW9N90 900V N-Channel MOSFET Description TO-247 This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Max 1.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 45nC) Improved dv/dt Capability, Hi

Другие IGBT... MSU7N60T, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, IRFP064N, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3