MTA090N02KC3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA090N02KC3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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MTA090N02KC3 datasheet

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MTA090N02KC3

Spec. No. C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.11.19 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4V, TA=25 C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

 8.1. Size:362K  cystek
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MTA090N02KC3

Spec. No. C322J3 Issued Date 2014.03.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10A RDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ) RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

Otros transistores... MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, AO4468, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3