MTA090N02KC3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA090N02KC3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTA090N02KC3

MTA090N02KC3 Datasheet (PDF)

..1. Size:367K cystek
mta090n02kc3.pdf

Spec. No. : C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.11.19 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20VID @VGS=4V, TA=25C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

8.1. Size:362K cystek
mta090p02j3.pdf

Spec. No. : C322J3 Issued Date : 2014.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10ARDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ)RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: