MTA090N02KC3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTA090N02KC3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTA090N02KC3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для MTA090N02KC3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA090N02KC3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cystek
 mta090n02kc3.pdf pdf_icon

MTA090N02KC3

Spec. No. : C983C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.11.19 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA090N02KC3 BVDSS 20VID @VGS=4V, TA=25C 1.4A RDSON@VGS=4V, ID=1A 63m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=1A 83m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=500mA 160m (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead

 8.1. Size:362K  cystek
 mta090p02j3.pdf pdf_icon

MTA090N02KC3

Spec. No. : C322J3 Issued Date : 2014.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTA090P02J3 ID @ VGS=-4.5V -10ARDS(ON)@VGS= -4.5V, ID= -6A 78m (typ)RDS(ON)@VGS= -2.5V, ID= -3A 120m (typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free

Другие MOSFET... MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , AO4468 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 .

History: 25N10L-TM3-T | IRFPE20 | CS7N65F

 

 
Back to Top

 


 
.