MTB070P15J3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB070P15J3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTB070P15J3 datasheet

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MTB070P15J3

Spec. No. C985J3 Issued Date 2015.01.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTB070P15J3 ID@VGS=-10V, TC=25 C -21A ID@VGS=-10V, TA=25 C -3.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5.2A 65m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-5A 69m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast sw

 8.1. Size:312K  cystek
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MTB070P15J3

Spec. No. C932J3 Issued Date 2013.10.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 110V MTB070N11J3 ID 15A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 82 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 81 m (typ) Features Low on resistance Simple drive requirement Low gate charge Fast switching characteristic

Otros transistores... MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, IRF3205, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, MTB160N25J3, MTB20A06Q8, MTB20N04J3, MTB23P06VT4