Справочник MOSFET. MTB070P15J3

 

MTB070P15J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB070P15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB070P15J3

 

 

MTB070P15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cystek
 mtb070p15j3.pdf

MTB070P15J3 MTB070P15J3

Spec. No. : C985J3 Issued Date : 2015.01.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTB070P15J3 ID@VGS=-10V, TC=25C -21A ID@VGS=-10V, TA=25C -3.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5.2A 65m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-5A 69m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast sw

 8.1. Size:312K  cystek
 mtb070n11j3.pdf

MTB070P15J3 MTB070P15J3

Spec. No. : C932J3 Issued Date : 2013.10.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 110VMTB070N11J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 82 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 81 m(typ) Features Low on resistance Simple drive requirement Low gate charge Fast switching characteristic

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top