Справочник MOSFET. MTB070P15J3

 

MTB070P15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB070P15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB070P15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cystek
 mtb070p15j3.pdf pdf_icon

MTB070P15J3

Spec. No. : C985J3 Issued Date : 2015.01.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTB070P15J3 ID@VGS=-10V, TC=25C -21A ID@VGS=-10V, TA=25C -3.7A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-5.2A 65m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-5A 69m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast sw

 8.1. Size:312K  cystek
 mtb070n11j3.pdf pdf_icon

MTB070P15J3

Spec. No. : C932J3 Issued Date : 2013.10.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 110VMTB070N11J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 82 m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 81 m(typ) Features Low on resistance Simple drive requirement Low gate charge Fast switching characteristic

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: STB13N60M2 | NCEP078N10G | IAUC100N10S5N040 | STU601S | AOSS32128 | MS65R360F | RJK0206DPA

 

 
Back to Top

 


 
.