MTB110P10L3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB110P10L3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MTB110P10L3 datasheet

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MTB110P10L3

Spec. No. C968L3 Issued Date 2014.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10L3 ID@VGS=-10V, TA=25 C -3.8A ID@VGS=-10V, TC=25 C -10.8A 85m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A Features 96m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A Simple Drive Requirement Low On-resistance F

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MTB110P10L3

Spec. No. C968J3 Issued Date 2014.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10J3 ID -14A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.5A 79m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 90m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package

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MTB110P10L3

Spec. No. C968F3 Issued Date 2014.08.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10F3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

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MTB110P10L3

Spec. No. C968E3 Issued Date 2014.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10E3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

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