MTB110P10L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTB110P10L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для MTB110P10L3
MTB110P10L3 Datasheet (PDF)
mtb110p10l3.pdf

Spec. No. : C968L3 Issued Date : 2014.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTB110P10L3 ID@VGS=-10V, TA=25C -3.8A ID@VGS=-10V, TC=25C -10.8A 85m (typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A Features 96m (typ.)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A Simple Drive Requirement Low On-resistance F
mtb110p10j3.pdf

Spec. No. : C968J3 Issued Date : 2014.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10J3 ID -14A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.5A 79m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 90m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package
mtb110p10f3.pdf

Spec. No. : C968F3 Issued Date : 2014.08.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10F3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
mtb110p10e3.pdf

Spec. No. : C968E3 Issued Date : 2014.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10E3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
Другие MOSFET... MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , IRF540 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 , MTB20N04J3 , MTB23P06VT4 , MTB25C04Q8 , MTB2D5N03BH8 , MTB2P50ET4G , MTB300N10L3 .
History: SWD10N65K2 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | MTB30P06VT4 | CRTS030N04L
History: SWD10N65K2 | HSL0004 | WSD2054DN22 | WMT04P06TS | MTB30P06VT4 | CRTS030N04L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor