MTB160N25J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTB160N25J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 44.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTB160N25J3 MOSFET
MTB160N25J3 Datasheet (PDF)
mtb160n25j3.pdf

Spec. No. : C977J3 Issued Date : 2014.10.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTB160N25J3 ID@VGS=10V 18AVGS=10V, ID=9A 132m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 138m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK
mtb16n25e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB16N25E/DDesigner's Data SheetMTB16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES250 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.25 OHMthan any existing surface m
mtb16p04j3.pdf

Spec. No. : C706J3 Issued Date : 2009.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.05.17 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB16P04J3 ID -25A16m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB16P04J3 TO-252 GGate DDrain
Otros transistores... MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , IRF540N , MTB20A06Q8 , MTB20N04J3 , MTB23P06VT4 , MTB25C04Q8 , MTB2D5N03BH8 , MTB2P50ET4G , MTB300N10L3 , MTB30P06VT4 .
History: NP48N055MLE
History: NP48N055MLE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet