MTB160N25J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB160N25J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB160N25J3

MTB160N25J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:365K cystek
mtb160n25j3.pdf

Spec. No. : C977J3 Issued Date : 2014.10.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTB160N25J3 ID@VGS=10V 18AVGS=10V, ID=9A 132m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 138m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK

9.1. Size:259K motorola
mtb16n25e.pdf

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9.2. Size:334K cystek
mtb16p04j3.pdf

Spec. No. : C706J3 Issued Date : 2009.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.05.17 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB16P04J3 ID -25A16m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB16P04J3 TO-252 GGate DDrain

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Liste

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