MTB160N25J3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MTB160N25J3 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MTB160N25J3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTB160N25J3 даташит
mtb160n25j3.pdf
Spec. No. C977J3 Issued Date 2014.10.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTB160N25J3 ID@VGS=10V 18A VGS=10V, ID=9A 132m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 138m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK
mtb16n25e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB16N25E/D Designer's Data Sheet MTB16N25E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 16 AMPERES 250 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.25 OHM than any existing surface m
mtb16p04j3.pdf
Spec. No. C706J3 Issued Date 2009.04.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.05.17 Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40V MTB16P04J3 ID -25A 16m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB16P04J3 TO-252 G Gate D Drain
Другие IGBT... MTA090N02KC3, MTA340N02KC3, MTA55N20J3, MTB070P15J3, MTB080N15J3, MTB09P03E3, MTB09P04DJ3, MTB110P10L3, IRF540, MTB20A06Q8, MTB20N04J3, MTB23P06VT4, MTB25C04Q8, MTB2D5N03BH8, MTB2P50ET4G, MTB300N10L3, MTB30P06VT4
History: AP4506GEM | IRF7341 | AP200N04 | SSM5H01TU | F20N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet



