MTB2D5N03BH8 Todos los transistores

 

MTB2D5N03BH8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB2D5N03BH8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MTB2D5N03BH8 Datasheet (PDF)

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MTB2D5N03BH8

Spec. No. : C998H8 Issued Date : 2015.03.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB2D5N03BH8BVDSS 30VID@VGS=10V, TC=25C 60A ID@VGS=10V, TA=25C 20A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 2.9 m(typ) Low On-resistance Fast S

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History: SSF6010G

 

 
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