Справочник MOSFET. MTB2D5N03BH8

 

MTB2D5N03BH8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB2D5N03BH8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTB2D5N03BH8

 

 

MTB2D5N03BH8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  cystek
 mtb2d5n03bh8.pdf

MTB2D5N03BH8 MTB2D5N03BH8

Spec. No. : C998H8 Issued Date : 2015.03.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB2D5N03BH8BVDSS 30VID@VGS=10V, TC=25C 60A ID@VGS=10V, TA=25C 20A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 2.9 m(typ) Low On-resistance Fast S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MT28N20A

 

 
Back to Top