Справочник MOSFET. MTB2D5N03BH8

 

MTB2D5N03BH8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB2D5N03BH8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTB2D5N03BH8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB2D5N03BH8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  cystek
 mtb2d5n03bh8.pdf pdf_icon

MTB2D5N03BH8

Spec. No. : C998H8 Issued Date : 2015.03.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB2D5N03BH8BVDSS 30VID@VGS=10V, TC=25C 60A ID@VGS=10V, TA=25C 20A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.1 m(typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 2.9 m(typ) Low On-resistance Fast S

Другие MOSFET... MTB09P03E3 , MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 , MTB20N04J3 , MTB23P06VT4 , MTB25C04Q8 , IRF1404 , MTB2P50ET4G , MTB300N10L3 , MTB30P06VT4 , MTB30P06VT4G , MTB3D0N03BH8 , MTB50P03HDLG , MTB50P03HDLT4 , MTB50P03HDLT4G .

History: IRF7506PBF | FQA28N50 | AONY36352

 

 
Back to Top

 


 
.