MTB2P50ET4G Todos los transistores

 

MTB2P50ET4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB2P50ET4G
   Código: T2P50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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MTB2P50ET4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  onsemi
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MTB2P50ET4G

MTB2P50EPreferred DevicePower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel D2PAKThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designedto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.2 AMPERES, 500 VOLTSThe energy effic

 6.1. Size:273K  motorola
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MTB2P50ET4G

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History: NP30N04QUK | SSF80R600S2

 

 
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