MTB2P50ET4G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB2P50ET4G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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MTB2P50ET4G datasheet

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MTB2P50ET4G

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MTB2P50ET4G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB2P50E/D Designer's Data Sheet MTB2P50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 2.0 AMPERES 500 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 6.0 OHM than any existing surface mou

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