Справочник MOSFET. MTB2P50ET4G

 

MTB2P50ET4G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB2P50ET4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MTB2P50ET4G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB2P50ET4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  onsemi
 mtb2p50e-d mtb2p50et4g.pdf pdf_icon

MTB2P50ET4G

MTB2P50EPreferred DevicePower MOSFET2 Amps, 500 VoltsP-Channel D2PAKThis high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltage-blocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this Power MOSFET is designedto withstand high energy in the avalanche and commutation modes.2 AMPERES, 500 VOLTSThe energy effic

 6.1. Size:273K  motorola
 mtb2p50e.pdf pdf_icon

MTB2P50ET4G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB2P50E/DDesigner's Data SheetMTB2P50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETPChannel EnhancementMode Silicon Gate 2.0 AMPERES500 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 6.0 OHMthan any existing surface mou

Другие MOSFET... MTB09P04DJ3 , MTB110P10L3 , MTB160N25J3 , MTB20A06Q8 , MTB20N04J3 , MTB23P06VT4 , MTB25C04Q8 , MTB2D5N03BH8 , IRFP260N , MTB300N10L3 , MTB30P06VT4 , MTB30P06VT4G , MTB3D0N03BH8 , MTB50P03HDLG , MTB50P03HDLT4 , MTB50P03HDLT4G , MTB5D0P03J3 .

History: SWF2N90K2 | NID9N05ACLT4G | FDMA908PZ | FDPC4044 | IRL510S | IRF3256 | SIR880ADP

 

 
Back to Top

 


 
.