MTB3D0N03BH8 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB3D0N03BH8  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 419 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MTB3D0N03BH8 datasheet

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MTB3D0N03BH8

Spec. No. C999H8 Issued Date 2015.03.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03BH8 BVDSS 30V ID@VGS=10V, TC=25 C 60A ID@VGS=10V, TA=25 C 19.2A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.5 m (typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 3.5 m (typ) Low On-resistance Fast

 5.1. Size:427K  cystek
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MTB3D0N03BH8

Spec. No. C943H8 Issued Date 2014.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03ATH8 BVDSS 30V ID 75A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.9 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 4.0 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt r

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