MTB3D0N03BH8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTB3D0N03BH8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 419 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTB3D0N03BH8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB3D0N03BH8 даташит

 ..1. Size:431K  cystek
 mtb3d0n03bh8.pdf pdf_icon

MTB3D0N03BH8

Spec. No. C999H8 Issued Date 2015.03.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03BH8 BVDSS 30V ID@VGS=10V, TC=25 C 60A ID@VGS=10V, TA=25 C 19.2A Features RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.5 m (typ) Single Drive Requirement RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 3.5 m (typ) Low On-resistance Fast

 5.1. Size:427K  cystek
 mtb3d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB3D0N03BH8

Spec. No. C943H8 Issued Date 2014.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB3D0N03ATH8 BVDSS 30V ID 75A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 2.9 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=24A 4.0 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt r

Другие IGBT... MTB20N04J3, MTB23P06VT4, MTB25C04Q8, MTB2D5N03BH8, MTB2P50ET4G, MTB300N10L3, MTB30P06VT4, MTB30P06VT4G, AO3400, MTB50P03HDLG, MTB50P03HDLT4, MTB50P03HDLT4G, MTB5D0P03J3, MTB5D0P03Q8, MTB60P15H8, MTB6D0N03BH8, MTB75N05HDT4