MTBA6C12Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTBA6C12Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
MTBA6C12Q8 Datasheet (PDF)
mtba6c12q8.pdf

Spec. No. : C973Q8 Issued Date : 2014.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc
mtba6c12j4.pdf

Spec. No. : C973J4 Issued Date : 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12J4 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant
mtba6c15q8.pdf

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2014.12.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V
mtba6c15j4.pdf

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2014.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.28 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1ARDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: CSD17309Q3 | IRFR120TR | MRF5003 | 4N65KG-T60-K | AONS36316
History: CSD17309Q3 | IRFR120TR | MRF5003 | 4N65KG-T60-K | AONS36316



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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