MTBA6C12Q8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTBA6C12Q8  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTBA6C12Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA6C12Q8 даташит

 ..1. Size:432K  cystek
 mtba6c12q8.pdf pdf_icon

MTBA6C12Q8

Spec. No. C973Q8 Issued Date 2014.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

 6.1. Size:397K  cystek
 mtba6c12j4.pdf pdf_icon

MTBA6C12Q8

Spec. No. C973J4 Issued Date 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12J4 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

 7.1. Size:431K  cystek
 mtba6c15q8.pdf pdf_icon

MTBA6C12Q8

Spec. No. C938Q8 Issued Date 2014.12.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150V ID @ TA=25 C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5A ID @ TA=70 C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3A ID @ TC=25 C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6A ID @ TC=100 C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V

 7.2. Size:402K  cystek
 mtba6c15j4.pdf pdf_icon

MTBA6C12Q8

Spec. No. C938J4 Issued Date 2014.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.28 Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15J4 BVDSS 150V -150V ID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB50P03HDLT4, MTB50P03HDLT4G, MTB5D0P03J3, MTB5D0P03Q8, MTB60P15H8, MTB6D0N03BH8, MTB75N05HDT4, MTBA5C10V8, IRFP250N, MTBA6C15J4, MTBA6C15Q8, APM1105NU, APM1106K, APM1110K, APM1110NU, APM1110NUB, APM2055NU