MTBA6C15J4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTBA6C15J4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm

Encapsulados: TO-252-4L

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MTBA6C15J4 datasheet

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MTBA6C15J4

Spec. No. C938J4 Issued Date 2014.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.28 Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15J4 BVDSS 150V -150V ID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

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MTBA6C15J4

Spec. No. C938Q8 Issued Date 2014.12.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150V ID @ TA=25 C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5A ID @ TA=70 C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3A ID @ TC=25 C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6A ID @ TC=100 C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V

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MTBA6C15J4

Spec. No. C973J4 Issued Date 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12J4 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

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MTBA6C15J4

Spec. No. C973Q8 Issued Date 2014.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

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