Справочник MOSFET. MTBA6C15J4

 

MTBA6C15J4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTBA6C15J4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
 

 Аналог (замена) для MTBA6C15J4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA6C15J4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  cystek
mtba6c15j4.pdfpdf_icon

MTBA6C15J4

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2014.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.28 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1ARDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

 6.1. Size:431K  cystek
mtba6c15q8.pdfpdf_icon

MTBA6C15J4

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2014.12.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V

 7.1. Size:397K  cystek
mtba6c12j4.pdfpdf_icon

MTBA6C15J4

Spec. No. : C973J4 Issued Date : 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12J4 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

 7.2. Size:432K  cystek
mtba6c12q8.pdfpdf_icon

MTBA6C15J4

Spec. No. : C973Q8 Issued Date : 2014.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

Другие MOSFET... MTB50P03HDLT4G , MTB5D0P03J3 , MTB5D0P03Q8 , MTB60P15H8 , MTB6D0N03BH8 , MTB75N05HDT4 , MTBA5C10V8 , MTBA6C12Q8 , 7N65 , MTBA6C15Q8 , APM1105NU , APM1106K , APM1110K , APM1110NU , APM1110NUB , APM2055NU , APM2303A .

History: WPM1480 | SFP040N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.