APQ05SN60AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ05SN60AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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APQ05SN60AF Datasheet (PDF)
..1. Size:616K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F)600V/5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5(typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz
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