APQ05SN60AF Todos los transistores

 

APQ05SN60AF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ05SN60AF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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APQ05SN60AF datasheet

 ..1. Size:616K  alpha pacific
 apq05sn60a apq05sn60af.pdf pdf_icon

APQ05SN60AF

DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F) 600V/5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz

Otros transistores... APQ04SN60A , APQ04SN60AF , APQ04SN60CA , APQ04SN60CB , APQ04SN60CE , APQ04SN60CF , APQ04SN60CH , APQ05SN60A , 20N50 , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , APQ06SN65AH , APQ07SN60AF , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF .

History: RTQ025P02 | PNMT6N1-LB

 

 

 

 

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