APQ05SN60AF Todos los transistores

 

APQ05SN60AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ05SN60AF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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APQ05SN60AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  alpha pacific
 apq05sn60a apq05sn60af.pdf pdf_icon

APQ05SN60AF

DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F)600V/5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5(typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz

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