APQ05SN60AF - описание и поиск аналогов

 

APQ05SN60AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ05SN60AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для APQ05SN60AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ05SN60AF даташит

 ..1. Size:616K  alpha pacific
 apq05sn60a apq05sn60af.pdf pdf_icon

APQ05SN60AF

DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F) 600V/5A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5 (typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz

Другие MOSFET... APQ04SN60A , APQ04SN60AF , APQ04SN60CA , APQ04SN60CB , APQ04SN60CE , APQ04SN60CF , APQ04SN60CH , APQ05SN60A , 20N50 , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , APQ06SN65AH , APQ07SN60AF , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF .

History: KHB019N20F1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.