Справочник MOSFET. APQ05SN60AF

 

APQ05SN60AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ05SN60AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для APQ05SN60AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ05SN60AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  alpha pacific
 apq05sn60a apq05sn60af.pdf pdf_icon

APQ05SN60AF

DEVICE SPECIFICATION apQ05SN60A(F)600V/5A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 600V / 5A RDS(on) = 1.5(typ) @ field effect transistors are produced using planar VGS = 10 V ,ID =2.5A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimiz

Другие MOSFET... APQ04SN60A , APQ04SN60AF , APQ04SN60CA , APQ04SN60CB , APQ04SN60CE , APQ04SN60CF , APQ04SN60CH , APQ05SN60A , 2N60 , APQ06SN60A , APQ06SN60AF , APQ06SN60AH , APQ06SN65AF , APQ06SN65AH , APQ07SN60AF , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF .

History: AP4437GM-HF | H5N2802PF | LND13N50 | FY14AAJ-03F | IRLML6402PBF-1 | VN2222LLG | JBE103T

 

 
Back to Top

 


 
.