APQ08SN50BE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ08SN50BE 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Encapsulados: TO-263
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APQ08SN50BE datasheet
apq08sn50be.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BE 500V/8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72 (typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o
apq08sn50b.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ08SN50B(F) 500V/8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , RDS(on) =0.72 (typ)@ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on
apq08sn50bf apq08sn50bh.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BH APQ08SN50BF 500V/8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72 (typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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