Справочник MOSFET. APQ08SN50BE

 

APQ08SN50BE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ08SN50BE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для APQ08SN50BE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ08SN50BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  alpha pacific
 apq08sn50be.pdf pdf_icon

APQ08SN50BE

DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BE 500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72(typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize o

 4.1. Size:570K  alpha pacific
 apq08sn50b.pdf pdf_icon

APQ08SN50BE

DEVICE SPECIFICATION apQ08SN50B(F)500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A , RDS(on) =0.72(typ)@ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on

 4.2. Size:836K  alpha pacific
 apq08sn50bf apq08sn50bh.pdf pdf_icon

APQ08SN50BE

DEVICE SPECIFICATION APQ08SN50BH APQ08SN50BF 500V/8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.72(typ) VGS =10V, ID =4.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored t

Другие MOSFET... APQ06SN65AH , APQ07SN60AF , APQ07SN60AH , APQ07SN65AF , APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , MMIS60R580P , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , APQ09SN50AF , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , APQ0DSN60AJ .

History: AUIRF3710ZS

 

 
Back to Top

 


 
.