APQ09SN50AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ09SN50AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ09SN50AF
APQ09SN50AF Datasheet (PDF)
apq09sn50a apq09sn50af.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F)500V/9A N-Channel MOSFETDescription 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9ARDS(on) =0.6(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat
apq09sn90ad.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05(typ)VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s
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Liste
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