APQ09SN50AF - описание и поиск аналогов

 

APQ09SN50AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ09SN50AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для APQ09SN50AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ09SN50AF даташит

 ..1. Size:477K  alpha pacific
 apq09sn50a apq09sn50af.pdf pdf_icon

APQ09SN50AF

DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F) 500V/9A N-Channel MOSFET Description 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9A RDS(on) =0.6 (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

 7.1. Size:417K  alpha pacific
 apq09sn90ad.pdf pdf_icon

APQ09SN50AF

DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05 (typ) VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s

Другие MOSFET... APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , IRLB3034 , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , APQ0DSN60AJ , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A .

History: IRFZ44ELPBF | APQ0CSN60A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.