Справочник MOSFET. APQ09SN50AF

 

APQ09SN50AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ09SN50AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для APQ09SN50AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ09SN50AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  alpha pacific
 apq09sn50a apq09sn50af.pdf pdf_icon

APQ09SN50AF

DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F)500V/9A N-Channel MOSFETDescription 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9ARDS(on) =0.6(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

 7.1. Size:417K  alpha pacific
 apq09sn90ad.pdf pdf_icon

APQ09SN50AF

DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05(typ)VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s

Другие MOSFET... APQ07SN65AH , APQ07SN80BF , APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , 60N06 , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , APQ0DSN60AJ , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A .

 

 
Back to Top

 


 
.