APQ09SN90AD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ09SN90AD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 850 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-247

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APQ09SN90AD datasheet

 ..1. Size:417K  alpha pacific
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APQ09SN90AD

DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05 (typ) VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s

 7.1. Size:477K  alpha pacific
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APQ09SN90AD

DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F) 500V/9A N-Channel MOSFET Description 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9A RDS(on) =0.6 (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

Otros transistores... APQ07SN80BF, APQ07SN80BH, APQ08SN50B, APQ08SN50BE, APQ08SN50BF, APQ08SN50BH, APQ09SN50A, APQ09SN50AF, 8N60, APQ0CSN60A, APQ0CSN60AJ, APQ0DSN60AJ, APQ10SN40A, APQ10SN40AF, APQ10SN40AH, APQ10SN60A, APQ10SN60AF