Справочник MOSFET. APQ09SN90AD

 

APQ09SN90AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ09SN90AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для APQ09SN90AD

 

 

APQ09SN90AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  alpha pacific
 apq09sn90ad.pdf

APQ09SN90AD APQ09SN90AD

DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05(typ)VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s

 7.1. Size:477K  alpha pacific
 apq09sn50a apq09sn50af.pdf

APQ09SN90AD APQ09SN90AD

DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F)500V/9A N-Channel MOSFETDescription 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9ARDS(on) =0.6(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top