APQ0CSN60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ0CSN60A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ0CSN60A datasheet

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APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60A 600V/0.35A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14 (typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 0.1. Size:423K  alpha pacific
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APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60AJ 600V/0.35A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14 (typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

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