APQ0CSN60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ0CSN60A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.77 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ0CSN60A
APQ0CSN60A Datasheet (PDF)
apq0csn60a.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60A600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize
apq0csn60aj.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60AJ600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize
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