Справочник MOSFET. APQ0CSN60A

 

APQ0CSN60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APQ0CSN60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для APQ0CSN60A

 

 

APQ0CSN60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  alpha pacific
 apq0csn60a.pdf

APQ0CSN60A APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60A600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 0.1. Size:423K  alpha pacific
 apq0csn60aj.pdf

APQ0CSN60A APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60AJ600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top