Справочник MOSFET. APQ0CSN60A

 

APQ0CSN60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ0CSN60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ0CSN60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  alpha pacific
 apq0csn60a.pdf pdf_icon

APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60A600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 0.1. Size:423K  alpha pacific
 apq0csn60aj.pdf pdf_icon

APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60AJ600V/0.35A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14(typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AOT7N60 | FDMS86550 | R6524KNX | IRC330 | 2SK1401 | IXFN55N50F | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.