APQ0CSN60A - описание и поиск аналогов

 

APQ0CSN60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ0CSN60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ0CSN60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ0CSN60A даташит

 ..1. Size:410K  alpha pacific
 apq0csn60a.pdf pdf_icon

APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60A 600V/0.35A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14 (typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 0.1. Size:423K  alpha pacific
 apq0csn60aj.pdf pdf_icon

APQ0CSN60A

DEVICE SPECIFICATION apQ0CSN60AJ 600V/0.35A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.35A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =14 (typ) VGS =10V, ID =0.21A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... APQ07SN80BH , APQ08SN50B , APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , APQ09SN50AF , APQ09SN90AD , IRFB7545 , APQ0CSN60AJ , APQ0DSN60AJ , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A , APQ10SN60AF , APQ10SN60AH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.