APQ0DSN60AJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ0DSN60AJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
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APQ0DSN60AJ Datasheet (PDF)
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apq0dsn60aj.pdf
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DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8(typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta
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