APQ0DSN60AJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ0DSN60AJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

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APQ0DSN60AJ Datasheet (PDF)

..1. Size:523K alpha pacific
apq0dsn60aj.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8(typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

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Liste

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