APQ0DSN60AJ Todos los transistores

 

APQ0DSN60AJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ0DSN60AJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

 Búsqueda de reemplazo de APQ0DSN60AJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APQ0DSN60AJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  alpha pacific
 apq0dsn60aj.pdf pdf_icon

APQ0DSN60AJ

DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8(typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Otros transistores... APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , APQ09SN50AF , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , IRF9640 , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A , APQ10SN60AF , APQ10SN60AH , APQ10SN65AF , APQ10SN65AH .

History: BSO200P03S | TT8K11 | 2SK2596 | NP82N055NHE

 

 
Back to Top

 


 
.