APQ0DSN60AJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ0DSN60AJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.9 Ohm

Encapsulados: TO-92

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APQ0DSN60AJ datasheet

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APQ0DSN60AJ

DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8 (typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Otros transistores... APQ08SN50BE, APQ08SN50BF, APQ08SN50BH, APQ09SN50A, APQ09SN50AF, APQ09SN90AD, APQ0CSN60A, APQ0CSN60AJ, SI2302, APQ10SN40A, APQ10SN40AF, APQ10SN40AH, APQ10SN60A, APQ10SN60AF, APQ10SN60AH, APQ10SN65AF, APQ10SN65AH