APQ0DSN60AJ - описание и поиск аналогов

 

APQ0DSN60AJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ0DSN60AJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.9 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для APQ0DSN60AJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ0DSN60AJ даташит

 ..1. Size:523K  alpha pacific
 apq0dsn60aj.pdf pdf_icon

APQ0DSN60AJ

DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8 (typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Другие MOSFET... APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , APQ09SN50AF , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , K2611 , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A , APQ10SN60AF , APQ10SN60AH , APQ10SN65AF , APQ10SN65AH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.