Справочник MOSFET. APQ0DSN60AJ

 

APQ0DSN60AJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ0DSN60AJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для APQ0DSN60AJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ0DSN60AJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  alpha pacific
 apq0dsn60aj.pdf pdf_icon

APQ0DSN60AJ

DEVICE SPECIFICATION APQ0DSN60AJ 600V/0.4A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 0.4A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =8(typ) VGS =10V, ID =0.2A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-sta

Другие MOSFET... APQ08SN50BE , APQ08SN50BF , APQ08SN50BH , APQ09SN50A , APQ09SN50AF , APQ09SN90AD , APQ0CSN60A , APQ0CSN60AJ , IRF9640 , APQ10SN40A , APQ10SN40AF , APQ10SN40AH , APQ10SN60A , APQ10SN60AF , APQ10SN60AH , APQ10SN65AF , APQ10SN65AH .

 

 
Back to Top

 


 
.