IRFS730A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS730A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFS730A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS730A datasheet

 ..1. Size:506K  samsung
 irfs730a.pdf pdf_icon

IRFS730A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.765 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 7.1. Size:286K  1
 irfs730 irfs731.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.2. Size:309K  1
 irfs730 irfs731 irfs732 irfs733.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.3. Size:904K  fairchild semi
 irfs730b.pdf pdf_icon

IRFS730A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, IRFS723, IRFS730, IRF520, IRFS731, IRFS732, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741, IRFS742, IRFS743