IRFS730A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS730A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS730A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS730A даташит

 ..1. Size:506K  samsung
 irfs730a.pdf pdf_icon

IRFS730A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.765 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 7.1. Size:286K  1
 irfs730 irfs731.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.2. Size:309K  1
 irfs730 irfs731 irfs732 irfs733.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.3. Size:904K  fairchild semi
 irfs730b.pdf pdf_icon

IRFS730A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A, IRFS721, IRFS722, IRFS723, IRFS730, IRF520, IRFS731, IRFS732, IRFS733, IRFS740, IRFS740A, IRFS741, IRFS742, IRFS743