IRFS730A - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFS730A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFS730A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS730A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS730A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  samsung
 irfs730a.pdf pdf_icon

IRFS730A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.765 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 7.1. Size:286K  1
 irfs730 irfs731.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.2. Size:309K  1
 irfs730 irfs731 irfs732 irfs733.pdf pdf_icon

IRFS730A

 7.3. Size:904K  fairchild semi
 irfs730b.pdf pdf_icon

IRFS730A

November 2001IRF730B/IRFS730B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.5A, 400V, RDS(on) = 1.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 25 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A , IRFS721 , IRFS722 , IRFS723 , IRFS730 , STF13NM60N , IRFS731 , IRFS732 , IRFS733 , IRFS740 , IRFS740A , IRFS741 , IRFS742 , IRFS743 .

History: SPB17N80C3 | IXTP26P10T | IXTP260N055T2 | WFW18N50W

 

 
Back to Top

 


 
.