APQ13SN50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ13SN50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ13SN50A datasheet

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APQ13SN50A

DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F) 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39 (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

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APQ13SN50A

DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39 (typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored

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