APQ13SN50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APQ13SN50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APQ13SN50A
APQ13SN50A Datasheet (PDF)
1.1. apq13sn50a.pdf 
Size:463K _upd-mosfet
DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F) 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field • 500V / 13A, RDS(on) =0.39Ω(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. • Fast switching This advanced technology has been especially • 100% avalanche tested tailored to minimize on-
1.2. apq13sn50af apq13sn50ah.pdf Size:773K _upd-mosfet
DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field • 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, • RDS(on) =0.39Ω(typ)， VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. • Fast switching This advanced technology has been especially • 100% avalanche tested tailored
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
