APQ13SN50AH Todos los transistores

 

APQ13SN50AH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ13SN50AH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

APQ13SN50AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:773K  alpha pacific
 apq13sn50af apq13sn50ah.pdf pdf_icon

APQ13SN50AH

DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39(typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored

 4.1. Size:463K  alpha pacific
 apq13sn50a.pdf pdf_icon

APQ13SN50AH

DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F)500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

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History: STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L

 

 
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