APQ13SN50AH - описание и поиск аналогов

 

APQ13SN50AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ13SN50AH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ13SN50AH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ13SN50AH даташит

 ..1. Size:773K  alpha pacific
 apq13sn50af apq13sn50ah.pdf pdf_icon

APQ13SN50AH

DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39 (typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored

 4.1. Size:463K  alpha pacific
 apq13sn50a.pdf pdf_icon

APQ13SN50AH

DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F) 500V/13A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39 (typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-

Другие MOSFET... APQ11BSN40A , APQ12SN60A , APQ12SN60AF , APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , IRF640 , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB .

History: APQ14SN65AH

 

 

 


 
↑ Back to Top
.