APQ13SN50AH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APQ13SN50AH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для APQ13SN50AH
APQ13SN50AH Datasheet (PDF)
apq13sn50af apq13sn50ah.pdf
DEVICE SPECIFICATION APQ13SN50AH APQ13SN50AF 500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =0.39(typ) VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored
apq13sn50a.pdf
DEVICE SPECIFICATION apQ13SN50A(F)500V/13A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 13A, RDS(on) =0.39(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =7.8A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918