APQ14SN65AH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ14SN65AH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-220

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APQ14SN65AH datasheet

 ..1. Size:399K  alpha pacific
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APQ14SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55 (typ) VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

Otros transistores... APQ12SN60AF, APQ12SN60AH, APQ12SN65AF, APQ12SN65AH, APQ13SN50A, APQ13SN50AF, APQ13SN50AH, APQ14SN65AF, IRLZ44N, APQ16SN06AA, APQ16SN06AB, APQ1HSN60AA, APQ1HSN60AB, APQ25SN06AA, APQ25SN06AB, APQ39SN04AA, APQ39SN04AB