APQ14SN65AH Todos los transistores

 

APQ14SN65AH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ14SN65AH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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APQ14SN65AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  alpha pacific
 apq14sn65af apq14sn65ah.pdf pdf_icon

APQ14SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55(typ)VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

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History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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