Справочник MOSFET. APQ14SN65AH

 

APQ14SN65AH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ14SN65AH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для APQ14SN65AH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ14SN65AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  alpha pacific
 apq14sn65af apq14sn65ah.pdf pdf_icon

APQ14SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55(typ)VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

Другие MOSFET... APQ12SN60AF , APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , IRFP260N , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB .

History: SIZ300DT | TK13A60W | IRFI9Z24GPBF | NDD02N60Z | 2N7271H2

 

 
Back to Top

 


 
.