APQ14SN65AH - описание и поиск аналогов

 

APQ14SN65AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ14SN65AH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для APQ14SN65AH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ14SN65AH даташит

 ..1. Size:399K  alpha pacific
 apq14sn65af apq14sn65ah.pdf pdf_icon

APQ14SN65AH

DEVICE SPECIFICATION APQ14SN65AH APQ14SN65AF 650V/14A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power 650V / 14A field effect transistors are produced using planar RDS(on) = 0.55 (typ) VGS = 10 V ,ID =7A stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailo

Другие MOSFET... APQ12SN60AF , APQ12SN60AH , APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , IRLZ44N , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.