APQ16SN06AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APQ16SN06AB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 47 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.062 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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APQ16SN06AB Datasheet (PDF)
..1. Size:325K alpha pacific
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DEVICE SPECIFICATION APQ16SN06AA APQ16SN06AB 60V/16A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 16A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =52m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to
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