APQ16SN06AB Todos los transistores

 

APQ16SN06AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ16SN06AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de APQ16SN06AB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APQ16SN06AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  alpha pacific
 apq16sn06aa apq16sn06ab.pdf pdf_icon

APQ16SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ16SN06AA APQ16SN06AB 60V/16A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 16A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =52m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Otros transistores... APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , IRFP260N , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB .

History: SIHFBE30S | APQ25SN06AB | DMN3016LK3 | SIB419DK

 

 
Back to Top

 


 
.