Справочник MOSFET. APQ16SN06AB

 

APQ16SN06AB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ16SN06AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для APQ16SN06AB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ16SN06AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  alpha pacific
 apq16sn06aa apq16sn06ab.pdf pdf_icon

APQ16SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ16SN06AA APQ16SN06AB 60V/16A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 16A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =52m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... APQ12SN65AF , APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , IRF630 , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB .

History: MTNK1S3

 

 
Back to Top

 


 
.