APQ1HSN60AA Todos los transistores

 

APQ1HSN60AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ1HSN60AA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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APQ1HSN60AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  alpha pacific
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APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 4.1. Size:440K  alpha pacific
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APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

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History: TK17N65W | 2SK2080-01 | BSZ018NE2LSI | APL501J | MMN45N03 | IGO60R070D1 | IRLR3303PBF

 

 
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