APQ1HSN60AA - описание и поиск аналогов

 

APQ1HSN60AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ1HSN60AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для APQ1HSN60AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ1HSN60AA даташит

 ..1. Size:438K  alpha pacific
 apq1hsn60aa.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA 600V/1.8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6 (typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 4.1. Size:440K  alpha pacific
 apq1hsn60ab.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB 600V/1.8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6 (typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... APQ12SN65AH , APQ13SN50A , APQ13SN50AF , APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , IRFP260N , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE .

History: APQ10SN60A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.