Справочник MOSFET. APQ1HSN60AA

 

APQ1HSN60AA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ1HSN60AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для APQ1HSN60AA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ1HSN60AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  alpha pacific
 apq1hsn60aa.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 4.1. Size:440K  alpha pacific
 apq1hsn60ab.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AA

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TMD3N50Z | BLF369

 

 
Back to Top

 


 
.