APQ1HSN60AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ1HSN60AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ1HSN60AB

APQ1HSN60AB Datasheet (PDF)

..1. Size:440K alpha pacific
apq1hsn60ab.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

4.1. Size:438K alpha pacific
apq1hsn60aa.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

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Liste

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