APQ1HSN60AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ1HSN60AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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APQ1HSN60AB datasheet

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APQ1HSN60AB

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB 600V/1.8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6 (typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

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APQ1HSN60AB

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA 600V/1.8A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6 (typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

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