Справочник MOSFET. APQ1HSN60AB

 

APQ1HSN60AB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ1HSN60AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ1HSN60AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  alpha pacific
 apq1hsn60ab.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AB

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AB600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

 4.1. Size:438K  alpha pacific
 apq1hsn60aa.pdf pdf_icon

APQ1HSN60AB

DEVICE SPECIFICATION apQ1HSN60AA600V/1.8A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 600V / 1.8A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =4.6(typ) VGS =10V, ID =1.08A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.