APQ25SN06AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APQ25SN06AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TO-252

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APQ25SN06AB datasheet

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APQ25SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m (typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

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APQ25SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m (typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

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