APQ25SN06AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ25SN06AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ25SN06AB

APQ25SN06AB Datasheet (PDF)

..1. Size:374K alpha pacific
apq25sn06ab.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

4.1. Size:359K alpha pacific
apq25sn06aa.pdf

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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