Справочник MOSFET. APQ25SN06AB

 

APQ25SN06AB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APQ25SN06AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для APQ25SN06AB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ25SN06AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  alpha pacific
 apq25sn06ab.pdf pdf_icon

APQ25SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

 4.1. Size:359K  alpha pacific
 apq25sn06aa.pdf pdf_icon

APQ25SN06AB

DEVICE SPECIFICATION APQ25SN06AA APQ25SN06AB 60V/25A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 60V / 25A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =27m(typ) VGS =10V, ID =20A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to

Другие MOSFET... APQ13SN50AH , APQ14SN65AF , APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , P55NF06 , APQ39SN04AA , APQ39SN04AB , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH , APQ4ESN65AF .

 

 
Back to Top

 


 
.