APQ39SN04AB Todos los transistores

 

APQ39SN04AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APQ39SN04AB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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APQ39SN04AB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  alpha pacific
 apq39sn04aa apq39sn04ab.pdf pdf_icon

APQ39SN04AB

DEVICE SPECIFICATION APQ39SN04AA APQ39SN04AB 40V/39A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 40V / 39A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m(typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

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History: IPB049NE7N3 | IXFP36N20X3M | IXFP72N20X3M | DMN3016LPS | SIB417EDK

 

 
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