APQ39SN04AB - описание и поиск аналогов

 

APQ39SN04AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APQ39SN04AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для APQ39SN04AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APQ39SN04AB даташит

 ..1. Size:333K  alpha pacific
 apq39sn04aa apq39sn04ab.pdf pdf_icon

APQ39SN04AB

DEVICE SPECIFICATION APQ39SN04AA APQ39SN04AB 40V/39A N-Channel MOSFET 1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 40V / 39A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =9m (typ) VGS =10V, ID =15A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to m

Другие MOSFET... APQ14SN65AH , APQ16SN06AA , APQ16SN06AB , APQ1HSN60AA , APQ1HSN60AB , APQ25SN06AA , APQ25SN06AB , APQ39SN04AA , AON6414A , APQ4ESN50A , APQ4ESN50AB , APQ4ESN50AE , APQ4ESN50AF , APQ4ESN50AH , APQ4ESN65AF , APQ4ESN65AH , APQ50SN06A .

History: APQ10SN60A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.